Infineon N Kanal, Effekttransistor, 297 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 349-136
- Tillv. art.nr:
- IPTG020N13NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 101,90 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
102,03 kr
(exkl. moms)
127,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 102,03 kr | - |
| 10 - 99 | 91,84 kr | 101,90 kr |
| 100 - 499 | 84,67 kr | 1 736,00 kr |
| 500 - 999 | 78,51 kr | 11 760,00 kr |
| 1000 + | 70,45 kr | 31 580,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-136
- Tillv. art.nr:
- IPTG020N13NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 297A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 135V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | PG-HSOG-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 395W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 159nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 297A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 135V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp PG-HSOG-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 395W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 159nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon OptiMOS 6 effekttransistor, 135 V är en N-kanal, normal nivå MOSFET utformad för att leverera hög effektivitet i krafttillämpningar. Den har mycket låg påslagningsresistans (RDS(on)), vilket minimerar ledningsförluster för ökad energieffektivitet. Med en utmärkt grindladdning x RDS(on)-produkt (FOM) säkerställer den optimal omkopplingsprestanda. MOSFET erbjuder också mycket låg omvänd återställningsladd (Qrr), vilket förbättrar omkopplingseffektiviteten. Dessutom är den 100 % avalanchetestad för tillförlitlighet och kan drivas vid 175 °C, vilket gör den lämplig för höga temperaturer och krävande miljöer.
Optimerad för motordrivenheter och batteridrivna tillämpningar
Blyplätering utan bly
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
MSL 1 klassificerad enligt J-STD-020
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 212 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 297 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 297 A 135 V Förbättring, 16 Ben, PG-HSOF-16, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 137 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 70 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 52 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 172 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, ISC