Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 348-988
- Tillv. art.nr:
- IPD60R180CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
82,43 kr
(exkl. moms)
103,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 11 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,486 kr | 82,43 kr |
| 50 - 95 | 15,636 kr | 78,18 kr |
| 100 - 495 | 14,492 kr | 72,46 kr |
| 500 - 995 | 13,328 kr | 66,64 kr |
| 1000 + | 12,858 kr | 64,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-988
- Tillv. art.nr:
- IPD60R180CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.18Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 127W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.18Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal effektförlust Pd 127W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolMOS 8th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS CM8 series is the successor to the CoolMOS 7. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g low ringing tendency, implemented fast body diode for all products with outstanding robustness against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses of CM8, make switching applications even more efficient.
Suitable for hard and soft switching topologies
Ease of use and fast design in through low ringing tendency
Simplified thermal management thanks to our advanced die attach technique
Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Increased power density solutions enabled by using products with smaller footprint
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 73 A 30 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 143 A 30 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 99 A 30 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 137 A 30 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal 4.3 A 60 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 4.7 A 600 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 90 A 80 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal 6.5 A 60 V Förbättring PG-TO252-3, OptiMOS