Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

129,58 kr

(exkl. moms)

161,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 11 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1806,479 kr129,58 kr
200 - 4806,155 kr123,10 kr
500 +5,701 kr114,02 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-899
Tillv. art.nr:
IPD047N03LF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

71A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Maximal effektförlust Pd

65W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 4.7 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.

General purpose products

Excellent robustness

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

Relaterade länkar