STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

27,55 kr

(exkl. moms)

34,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 927,55 kr
10 - 9924,64 kr
100 - 49922,96 kr
500 - 99921,06 kr
1000 +19,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
330-577
Tillv. art.nr:
STL320N4F8
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

350A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

PowerFLAT

Serie

STL

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.85mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

188W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.9 mm

Höjd

1mm

Längd

6mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology, featuring an enhanced trench gate structure. It delivers a state-of-the-art figure of merit with very low on-state resistance, reduced internal capacitances, and gate charge, enabling faster and more efficient switching.

100% avalanche tested

Low gate charge Qg

Relaterade länkar