ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

58,46 kr

(exkl. moms)

73,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 905,846 kr58,46 kr
100 - 2405,555 kr55,55 kr
250 - 4905,13 kr51,30 kr
500 - 9904,726 kr47,26 kr
1000 +4,558 kr45,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-874
Tillv. art.nr:
HT8KE5TB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

HSMT-8

Serie

HT8K

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

193mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

13W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.9nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The ROHM power MOSFET features a dual N-channel configuration with a voltage rating of 100V and a current capacity of 7A. Designed in an HSOP8 package and offers low on-resistance.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package (HSOP8)

Pb-free lead plating and RoHS compliant

Halogen Free

Relaterade länkar