DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008N8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 216-350
- Tillv. art.nr:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
6,11 kr
(exkl. moms)
7,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 480 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,11 kr |
| 10 - 99 | 5,49 kr |
| 100 - 499 | 5,04 kr |
| 500 - 999 | 4,70 kr |
| 1000 + | 3,92 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-350
- Tillv. art.nr:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | ZXMS6008N8 | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.13W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Antimony-Free | |
| Bredd | 6 mm | |
| Höjd | 1.45mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie ZXMS6008N8 | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.13W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Antimony-Free | ||
Bredd 6 mm | ||
Höjd 1.45mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The DiodesZetex MOSFET is a dual self protected low side IntelliFET MOSFET with logic level input. It integrates over temperature, overcurrent, overvoltage and ESD protected logic level functionality. It is ideal as a general purpose switch driven from 3.3V or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough.
Compact high power dissipation package
Low input current
Short circuit protection with auto restart
Overvoltage protection
Thermal shutdown with auto restart
Overcurrent protection
Input ESD protection
High continuous current rating
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal 0.9 A 60 V Förbättring SO-8, ZXMS6008DN8
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel 0.9 A 60 V Förbättring SO-8, ZXMS6008DN8 AEC-Q100
- Vishay Dubbel N Kanal 8 A 40 V Förbättring SO-8, SQ4940CEY AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 5.1 A 55 V Förbättring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel 3 A 50 V Förbättring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 60 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 7 A 60 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 7 A 20 V Förbättring SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
