Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
228-2944
Tillv. art.nr:
SQ4946CEY-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

40mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11.7nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

4W

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay TrenchFET fordonsdubbel N-kanal är en effekt-MOSFET.

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.