Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
223-8453
Tillv. art.nr:
AUIRF7341QTR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

500mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29nC

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4mm

Höjd

1.5mm

Längd

5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons HEXFET-effekt-MOSFET i ett dubbelt SO-8-paket använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Det effektiva SO-8-kapseln ger förbättrade termiska egenskaper och dubbel MOSFET-insatskapacitet, vilket gör den idealisk i en mängd olika strömtillämpningar.

Avancerad planarteknik

Dynamisk dV/dT-klassning

Grinddrivare för logisk nivå

175 °C drifttemperatur

Snabbväxlande

Blyfri

RoHS-kompatibel

Godkänd för fordonsindustrin

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.