Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

205,63 kr

(exkl. moms)

257,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 15 320 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4020,563 kr205,63 kr
50 - 9019,544 kr195,44 kr
100 - 24018,704 kr187,04 kr
250 - 49017,886 kr178,86 kr
500 +16,654 kr166,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
223-8453
Tillv. art.nr:
AUIRF7341QTR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

SO-8

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

500mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29nC

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon HEXFET power MOSFET in a dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics and dual MOSFET die capability making it ideal in a variety of power applications.

Advanced planar technology

Dynamic dV/dT rating

Logic level gate drive

175°C operating temperature

Fast switching

Lead free

RoHS compliant

Automotive qualified

Relaterade länkar