STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

303,86 kr

(exkl. moms)

379,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +303,86 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-073
Tillv. art.nr:
SCT025W120G3AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

56A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Kapseltyp

Hip-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

27mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

388W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73nC

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

5mm

Bredd

15.6 mm

Längd

34.8mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Relaterade länkar