STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

15 216,42 kr

(exkl. moms)

19 020,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +507,214 kr15 216,42 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-068
Tillv. art.nr:
SCT020W120G3-4AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

18.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

121nC

Maximal effektförlust Pd

541W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

Extremely low gate charge and input capacitance

Very fast and robust intrinsic body diode

Relaterade länkar