IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

487,20 kr

(exkl. moms)

609,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 66 enhet(er) från den 30 mars 2026
  • Dessutom levereras 209 enhet(er) från den 06 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1487,20 kr
2 - 4418,54 kr
5 - 9407,46 kr
10 - 19397,04 kr
20 +387,07 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
194-350
Distrelec artikelnummer:
302-53-376
Tillv. art.nr:
IXFN60N80P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

53A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

140mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.04kW

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

250nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

38.23mm

Höjd

9.6mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar