IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 14 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH14N60P

Se alla MOSFETs
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
194-063
Tillv. art.nr:
IXFH14N60P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Transistor Material

Si

Width

5.3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

21.46mm

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar