DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
822-2602
Tillv. art.nr:
DMN65D8LDW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SC-88

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

8Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

400mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.43nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

800mV

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Bredd

1.35mm

Längd

2.2mm

Standarder/godkännanden

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.