DiodesZetex 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 360 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 921-1105
- Tillv. art.nr:
- DMN53D0LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 100 enheter)*
85,80 kr
(exkl. moms)
107,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 600 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,858 kr | 85,80 kr |
| 500 - 900 | 0,785 kr | 78,50 kr |
| 1000 + | 0,768 kr | 76,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 921-1105
- Tillv. art.nr:
- DMN53D0LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 360mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 310mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS | |
| Längd | 2.2mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 360mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 310mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS | ||
Längd 2.2mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 360 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 360 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN53D0LW AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 840 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Liten signal, 200 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
