DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 840 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-4089
- Tillv. art.nr:
- DMG1016UDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 längd med 50 enheter)*
127,00 kr
(exkl. moms)
159,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 02 november 2026
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 50 - 550 | 2,54 kr | 127,00 kr |
| 600 - 1450 | 2,287 kr | 114,35 kr |
| 1500 + | 2,032 kr | 101,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-4089
- Tillv. art.nr:
- DMG1016UDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 840mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 330mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 6, -6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 736.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Längd | 2.2mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 840mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 330mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 6, -6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 736.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Längd 2.2mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 840 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 360 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Liten signal, 200 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS84W AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
