STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 854,70 kr

(exkl. moms)

2 318,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 50 enhet(er) levereras från den 30 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 20037,094 kr1 854,70 kr
250 +35,796 kr1 789,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-8852
Tillv. art.nr:
STP11NM80
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-220

Serie

MDmesh

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.86V

Maximal effektförlust Pd

150W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

43.6nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.6mm

Höjd

9.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM, 800 V/1 500 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.