STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

854,79 kr

(exkl. moms)

1 068,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 390 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 6028,493 kr854,79 kr
90 - 48022,766 kr682,98 kr
510 - 96020,257 kr607,71 kr
990 - 498018,062 kr541,86 kr
5010 +17,636 kr529,08 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
103-1986
Tillv. art.nr:
STW11NM80
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-247

Serie

MDmesh

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

0.86V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

43.6nC

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal effektförlust Pd

150W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.15 mm

Längd

15.75mm

Höjd

20.15mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics