STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 687-5235
- Tillv. art.nr:
- STP11NM80
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
56,22 kr
(exkl. moms)
70,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 31 augusti 2026
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 07 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 56,22 kr |
| 10 - 99 | 34,41 kr |
| 100 - 499 | 32,55 kr |
| 500 + | 29,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5235
- Tillv. art.nr:
- STP11NM80
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | MDmesh | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.86V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie MDmesh | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.86V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 800 V/1 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH