Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4882
- Tillv. art.nr:
- IRL540NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
479,80 kr
(exkl. moms)
599,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 50 enhet(er) levereras från den 21 oktober 2026
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 12 november 2026
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 25 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,596 kr | 479,80 kr |
| 100 - 200 | 7,486 kr | 374,30 kr |
| 250 - 450 | 7,004 kr | 350,20 kr |
| 500 - 1200 | 6,527 kr | 326,35 kr |
| 1250 + | 6,046 kr | 302,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4882
- Tillv. art.nr:
- IRL540NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 44mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 74nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.54mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 44mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 74nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.54mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 36 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 140 W maximal effektförlust - IRL540NPBF
Denna MOSFET är en viktig komponent för högpresterande kretsar, utformade för att effektivt hantera applikationer med hög ström och spänning. Den arbetar med en maximal drain-source-spänning på 100 V, vilket gör den lämplig för krävande miljöer i automations- och elektroniksystem. Dess starka prestanda och pålitliga drift förbättrar effektiviteten i olika elektriska system.
Funktioner & fördelar
• Kontinuerlig dräneringsström på 36 A för krävande applikationer
• Låg Rds(on) på 44mΩ minimerar effektförluster under drift
• Enhancement mode-design förbättrar kopplingsegenskaperna för ökad effektivitet
• Effektförlust på upp till 140 W för högpresterande scenarier
• Driftstemperaturområde från -55°C till +175°C ger mångsidighet
• Montering med genomgående hål gör det enkelt att integrera i befintliga system
Användningsområden
• Krafthantering i industriella automationssystem
• Styrning av elmotorer i robotteknik
• DC-DC-omvandlare i system för förnybar energi
• Nätaggregat som kräver effektiv switchfunktionalitet
• Konsumentelektronik för effektiv kraftdistribution
Vilka är de maximala spännings- och strömvärdena?
Den maximala drain-source-spänningen är 100 V, med en kontinuerlig drainström på 36 A.
Hur förbättrar den låga Rds(on) prestandan?
Ett lågt Rds(on) på 44mΩ resulterar i minimal effektförlust, vilket förbättrar effektiviteten och minskar den termiska belastningen.
Vad är betydelsen av förbättringsläget?
Detta läge ger bättre kontroll över driften, vilket möjliggör effektiv omkoppling och mångsidiga applikationer.
Kan den användas i miljöer med höga temperaturer?
Ja, den fungerar effektivt i temperaturer från -55°C till +175°C, vilket gör den lämplig för extrema förhållanden.
Hur ska den monteras för optimal prestanda?
Den är konstruerad för montering genom hål, vilket ger en säker installation och anslutning i kretsar.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET