Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 912-8598
- Tillv. art.nr:
- AUIRF540Z
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 895,05 kr
(exkl. moms)
2 368,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 350 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 37,901 kr | 1 895,05 kr |
| 100 - 200 | 30,699 kr | 1 534,95 kr |
| 250 - 450 | 29,335 kr | 1 466,75 kr |
| 500 - 950 | 28,576 kr | 1 428,80 kr |
| 1000 + | 27,897 kr | 1 394,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 912-8598
- Tillv. art.nr:
- AUIRF540Z
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 26.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 92W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.66mm | |
| Höjd | 16.51mm | |
| Bredd | 4.82mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 26.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 92W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.66mm | ||
Höjd 16.51mm | ||
Bredd 4.82mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
Effekt-MOSFET med N-kanal för fordon, Infineon
Infineons omfattande sortiment av AECQ-101 fordonskvalificerade enkla N-kanal enheter hanterar en mängd olika strömkrav i många applikationer. Det här sortimentet av diskreta HEXFET®-effekt-MOSFET-transistorer inkluderar N-kanal-enheter i ytmonterade och blyade kapslingar och formfaktorer som kan hantera nästan alla kortlayouter och termiska designutmaningar. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 230 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET