Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4873
- Tillv. art.nr:
- IRFP150NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 25 enheter)*
451,70 kr
(exkl. moms)
564,625 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 30 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 18,068 kr | 451,70 kr |
| 50 - 100 | 17,167 kr | 429,18 kr |
| 125 - 225 | 16,446 kr | 411,15 kr |
| 250 - 600 | 15,72 kr | 393,00 kr |
| 625 + | 14,632 kr | 365,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4873
- Tillv. art.nr:
- IRFP150NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 36mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.3mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 36mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.3mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 42 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 160 W maximal effektförlust - IRFP150NPBF
Denna MOSFET är konstruerad för högpresterande applikationer som kräver effektiv switchning. Med sin N-kanalskonfiguration hanterar den effektivt stora effektbelastningar, vilket gör den till en nyckelkomponent i olika elektroniska kretsar och strömhanteringssystem. Dess förmåga att fungera över ett brett temperaturintervall ökar dess anpassningsförmåga i olika miljöer.
Funktioner & fördelar
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 42A
• Maximal drain-source-spänning på 100V
• Låg Rds(on) på 36mΩ för ökad effektivitet
• Maximal effektförlust på 160 W
• Utnyttjar Enhancement Mode för förbättrad drift
• Integrerad i en TO-247AC-förpackning för enkel montering
Användningsområden
• Används i strömförsörjningskretsar för automationsenheter
• Lämplig för motorstyrning inom industrimaskiner
• Används i system för förnybar energi för effektiv kraftomvandling
• Användbar för högfrekvent omkoppling inom telekommunikation
Kan den användas i miljöer med höga temperaturer?
Ja, den fungerar effektivt i temperaturer upp till +175°C, vilket gör att den kan användas under svåra förhållanden.
Vilken är den maximala gate-source-spänningen som den kan hantera?
Enheten är konstruerad för att klara en maximal gate-source-spänning på -20V och +20V, vilket ger många olika alternativ för kretsdesign.
Hur gynnar en låg Rds(on) prestandan?
Ett lågt Rds(on) minimerar effektförlusterna under drift och förbättrar därmed den totala effektiviteten och värmehanteringen.
Är den lämplig för montering genom hål?
Ja, TO-247AC-paketet är särskilt avsett för applikationer med genomgående hålmontering.
Vad bör man tänka på under installationen?
Se till att enheten är tillräckligt kyld under drift för att bibehålla optimal prestanda och förhindra överhettning.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET