Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

RS-artikelnummer:: 919-4918
Tillv. art.nr:: IRFP3710PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

Antal (1 rör med 25 enheter)*

876,85 kr

(exkl. moms)

1 096,05 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

400 enhet(er) är redo att levereras
Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 05 november 2026
Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 25 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
25 +	35,074 kr	876,85 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 919-4918
Tillv. art.nr:: IRFP3710PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	57A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	TO-247
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	25mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal effektförlust Pd	200W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	190nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	5.3mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	15.9mm
	Höjd	20.3mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 57A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp TO-247
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 25mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal effektförlust Pd 200W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 190nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 5.3mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 15.9mm
	Höjd 20.3mm
	Fordonsstandard Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 57A maximal kontinuerlig dräneringsström, 200W maximal effektförlust - IRFP3710PBF

Denna MOSFET är konstruerad för effektiv strömhantering i en mängd olika elektroniska applikationer. Den har en N-kanalskonfiguration och hanterar hög kontinuerlig dräneringsström, vilket säkerställer effektiv prestanda även vid förhöjda temperaturer och uppvisar låg on-resistans, vilket gör den lämplig för industriella miljöer.

Funktioner & fördelar

• Hög kapacitet för kontinuerlig dräneringsström ger stark prestanda

• Maximal drain-source-spänning på 100 V ökar mångsidigheten

• Låg RDS(on) på 25mΩ minimerar energiförlusten under drift

• Hög effektavledningskapacitet på 200 W möjliggör effektiv energihantering

• Enhancement mode-transistor ger möjlighet till kontroll över kopplingsoperationer

• TO-247AC-paketet möjliggör enkel integrering i applikationer med genomgående hål

Användningsområden

• Idealisk för strömförsörjningskretsar

• Vanligt förekommande i motorstyrsystem

• Lämplig för strömförsörjningslösningar för fordonsindustrin

• Används i batterihanteringssystem

Vilken är den maximala temperaturen för att denna enhet ska fungera?

Den maximala driftstemperaturen når upp till +175°C, vilket ger effektiv funktion i miljöer med höga temperaturer.

Hur hanterar den här enheten höga strömmar?

Den klarar en kontinuerlig avtappningsström på 57 A, vilket gör att den kan driva krävande applikationer utan problem.

Kan den användas i en konstruktion med genomgående hål?

Ja, TO-247AC-paketet möjliggör montering genom hål, vilket förenklar integrationen i olika kretskort.

Vilken typ av belastning kan denna MOSFET växla?

Denna enhet kan hantera betydande belastningar tack vare sin höga effektavledning på 200W, lämplig för tunga applikationer.

Är den kompatibel med vanliga grindspänningar?

Ja, den fungerar effektivt med en grindtröskelspänning mellan 2V och 4V, vilket garanterar kompatibilitet med olika drivkretsar.