Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 907-4996
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-460
- Tillv. art.nr:
- IRFP1405PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
235,20 kr
(exkl. moms)
294,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 25 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 90 enhet(er) från den 20 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 47,04 kr | 235,20 kr |
| 25 - 45 | 42,852 kr | 214,26 kr |
| 50 - 120 | 39,962 kr | 199,81 kr |
| 125 - 245 | 37,184 kr | 185,92 kr |
| 250 + | 34,362 kr | 171,81 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 907-4996
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-460
- Tillv. art.nr:
- IRFP1405PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 310W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.29mm | |
| Höjd | 5.31mm | |
| Bredd | 19.71mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximal effektförlust Pd 310W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.29mm | ||
Höjd 5.31mm | ||
Bredd 19.71mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals Power MOSFET 55V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 81 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 224 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET