Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4769
- Tillv. art.nr:
- IRFZ44NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
368,25 kr
(exkl. moms)
460,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 01 oktober 2026
- Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 11 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,365 kr | 368,25 kr |
| 100 - 200 | 6,039 kr | 301,95 kr |
| 250 - 450 | 5,596 kr | 279,80 kr |
| 500 - 1200 | 5,228 kr | 261,40 kr |
| 1250 + | 4,861 kr | 243,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4769
- Tillv. art.nr:
- IRFZ44NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 49A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Bredd | 4.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 49A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Bredd 4.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 49 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 94 W maximal effektförlust - IRFZ44NPBF
Denna MOSFET är konstruerad för att fungera i applikationer inom automation, elektronik och elektroteknik. Den kan hantera höga strömnivåer med lågt motstånd, vilket förbättrar effektiviteten i elektroniska kretsar. Med HEXFET-teknik erbjuder enheten förbättrad tillförlitlighet och effektivitet i olika miljöer.
Funktioner & fördelar
• Utnyttjar förbättringsläge för responsiv styrning
• Lågt motstånd på 17,5 mΩ för effektiv strömhantering
• Snabba växlingshastigheter för förbättrad systemprestanda
Användningsområden
• Lämplig för DC-DC-omvandlare
• Motordrifter och styrsystem
• System för förnybar energi, t.ex. solcellsväxelriktare
Vilken inverkan har det låga motståndet på prestandan?
Den låga on-resistansen på 17,5 mΩ förbättrar effektiviteten genom att minimera energiförlusterna under drift, vilket är fördelaktigt i kretsar med hög strömstyrka.
Hur påverkar temperaturen den kontinuerliga dräneringsströmmen?
Den kontinuerliga dräneringsströmmen är klassad till 49 A vid 25 °C och minskar till 35 A vid 100 °C, vilket garanterar säker användning i olika miljöer.
Klarar den här komponenten upprepade lavinförhållanden?
Ja, den är konstruerad för att klara upprepade lavinförhållanden med en lavinström på upp till 25 A och en lavinenergi på 9,4 mJ, vilket ger extra hållbarhet.
Vilken typ av applikationer drar mest nytta av att använda denna MOSFET?
Den här komponenten är särskilt användbar i högeffektsapplikationer, t.ex. industriella automationskontroller och fordonssystem som kräver effektiv energiomvandling.
Är den kompatibel med vanliga mönsterkort?
Ja, TO-220AB-paketet används ofta i olika PCB-layouter, vilket möjliggör enkel integrering i befintliga konstruktioner.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET