Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-artikelnummer:: 540-9761
Distrelec artikelnummer:: 303-41-382
Tillv. art.nr:: IRFZ34NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Antal (1 enhet)*

4,26 kr

(exkl. moms)

5,32 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 266 enhet(er) från den 15 juni 2026
Dessutom levereras 115 enhet(er) från den 22 juni 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 +	4,26 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 540-9761
Distrelec artikelnummer:: 303-41-382
Tillv. art.nr:: IRFZ34NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	29A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	40mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	34nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.6V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	68W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.54mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	8.77mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.6V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 68W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.54mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 8.77mm
	Fordonsstandard Nej

Logga in för att ladda ner CAD-modeller

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 29 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 68 W maximal effektförlust - IRFZ34NPBF

Denna MOSFET är skräddarsydd för avancerade elektroniska applikationer, särskilt där hög effektivitet och tillförlitlighet är avgörande. Dess N-kanalskonfiguration möjliggör effektiv omkoppling och modulering av elektriska strömmar i kraftsystem. Med en maximal drain-source-spänning på 55V och en kontinuerlig drain-ström på 29A är denna komponent avgörande för högpresterande konstruktioner inom automations- och elektroniksektorerna.

Funktioner & fördelar

• Ultralåg on-resistans för minimal strömförlust

• Maximal effektförlust på 68 W för robust funktionalitet

• Hög temperaturtolerans på upp till 175°C säkerställer långsiktig prestanda

• Kompatibel med genomgående hålmontering för enkel integrering

• Dynamisk dv/dt-klassificering möjliggör applikationer med snabb omkoppling

• Transistor med förstärkningsläge förbättrar enhetens effektivitet

Användningsområden

• Används i strömförsörjningskonstruktioner för effektiv energihantering

• Anställd inom motorstyrning för exakt hastighetsreglering

• Lämplig för diskret omkoppling inom konsumentelektronik

• Används inom industriell automation för att förbättra systemets tillförlitlighet

• Lämplig för fordonsindustrin som kräver hög effekthantering

Vad är den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen vid 100°C?

Vid 100°C är den kontinuerliga dräneringsströmmen 20A, vilket garanterar tillförlitlighet under förhållanden med höga temperaturer.

Hur gynnar den låga on-resistansen kretseffektiviteten?

En låg RDS(on) minskar effektförlusterna under drift, vilket ökar den totala kretseffektiviteten och minimerar värmeutvecklingen.

Kan den användas för parallella konfigurationer?

Ja, konstruktionen gör det enkelt att parallellkoppla, vilket förbättrar strömhanteringen för högeffektsapplikationer.

Vilka konsekvenser får den maximala gate-source-spänningen?

Den maximala gate-source-spänningen på ±20V garanterar säker drift och skyddar mot skador under vanliga switchaktiviteter.

Vilken inverkan har temperaturen på prestandan?

Med ett drifttemperaturområde från -55°C till +175°C upprätthåller den driftsintegriteten under extrema förhållanden, vilket gör den lämplig för en mängd olika applikationer.