Infineon N Kanal, MOSFET, 169 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 543-1099
- Tillv. art.nr:
- IRF1405PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
27,42 kr
(exkl. moms)
34,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 745 enhet(er) från den 16 november 2026
- Dessutom levereras 1 enhet(er) från den 16 november 2026
- Dessutom levereras 224 enhet(er) från den 23 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 27,42 kr | - |
| 10 - 24 | 26,16 kr | 4% |
| 25 - 49 | 24,92 kr | 9% |
| 50 - 99 | 23,44 kr | 14% |
| 100 + | 21,99 kr | 19% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 543-1099
- Tillv. art.nr:
- IRF1405PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 169A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 330W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 169A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 330W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 8.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 169 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 330 W maximal effektförlust - IRF1405PBF
Denna MOSFET är avsedd för olika applikationer och erbjuder hög prestanda i lösningar för strömhantering. Med sina robusta specifikationer och avancerade bearbetningstekniker är den en nyckelkomponent inom automations- och elektroniksektorerna. Dess förmåga att hantera höga strömmar och spänningar gör den viktig för många industriella processer.
Funktioner & fördelar
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 169 A förbättrar hållbarheten
• Klassad för 55V, vilket säkerställer drift under högspänningsförhållanden
• Låg on-resistans på 5mΩ minimerar strömförlusten under drift
• Snabb omkopplingsfunktion ökar systemets effektivitet
• Har förbättringsläge för optimal drift
Användningsområden
• Används i industriella motorstyrningar för effektiv styrning
• Lämplig för hög strömstyrka i strömförsörjning
• Idealisk för drivmotorer i automationsutrustning
• Effektiv inom omvandlare och växelriktare för system för förnybar energi
Vad är den maximala spänningsgränsen mellan gate och source?
Den maximala gate-to-source-spänningen är ±20V, vilket garanterar säker drift.
Hur hanterar den här enheten värmehantering?
Den fungerar effektivt upp till 175°C, vilket ger tillförlitlighet under förhållanden med höga temperaturer.
Vilka faktorer bör beaktas under installationen?
Se till att monteringsmomentet är korrekt och ta hänsyn till kylflänsens värmemotstånd för att bibehålla effektiv prestanda.
Kan den användas i kopplingsapplikationer?
Ja, den har snabb växlingsfunktion som är lämplig för höghastighetsapplikationer och minskar svarstiden.
Vilka gate-laddningsvärden kan förväntas under drift?
Den typiska grindladdningen är 170 nC vid 10 V, vilket ger snabba på- och avstängningstider.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 169 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET