Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-artikelnummer:: 540-9777
Distrelec artikelnummer:: 303-41-384
Tillv. art.nr:: IRFZ44NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

13,66 kr

(exkl. moms)

17,08 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

81 enhet(er) är redo att levereras
Plus 129 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
Dessutom levereras 83 enhet(er) från den 07 maj 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 - 24	13,66 kr
25 - 49	12,88 kr
50 - 99	12,66 kr
100 - 249	11,87 kr
250 +	11,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 540-9777
Distrelec artikelnummer:: 303-41-384
Tillv. art.nr:: IRFZ44NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	49A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	17.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	63nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal effektförlust Pd	94W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	8.77mm
	Längd	10.67mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 49A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Kapseltyp TO-220
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 17.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal effektförlust Pd 94W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 8.77mm
	Längd 10.67mm
	Fordonsstandard Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 49 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 94 W maximal effektförlust - IRFZ44NPBF

Denna MOSFET är konstruerad för att fungera i applikationer inom automation, elektronik och elektroteknik. Den kan hantera höga strömnivåer med lågt motstånd, vilket förbättrar effektiviteten i elektroniska kretsar. Med HEXFET-teknik erbjuder enheten förbättrad tillförlitlighet och effektivitet i olika miljöer.

Funktioner & fördelar

• Utnyttjar förbättringsläge för responsiv styrning

• Lågt motstånd på 17,5 mΩ för effektiv strömhantering

• Snabba växlingshastigheter för förbättrad systemprestanda

Användningsområden

• Lämplig för DC-DC-omvandlare

• Motordrifter och styrsystem

• System för förnybar energi, t.ex. solcellsväxelriktare

Vilken inverkan har det låga motståndet på prestandan?

Den låga on-resistansen på 17,5 mΩ förbättrar effektiviteten genom att minimera energiförlusterna under drift, vilket är fördelaktigt i kretsar med hög strömstyrka.

Hur påverkar temperaturen den kontinuerliga dräneringsströmmen?

Den kontinuerliga dräneringsströmmen är klassad till 49 A vid 25 °C och minskar till 35 A vid 100 °C, vilket garanterar säker användning i olika miljöer.

Klarar den här komponenten upprepade lavinförhållanden?

Ja, den är konstruerad för att klara upprepade lavinförhållanden med en lavinström på upp till 25 A och en lavinenergi på 9,4 mJ, vilket ger extra hållbarhet.

Vilken typ av applikationer drar mest nytta av att använda denna MOSFET?

Den här komponenten är särskilt användbar i högeffektsapplikationer, t.ex. industriella automationskontroller och fordonssystem som kräver effektiv energiomvandling.

Är den kompatibel med vanliga mönsterkort?

Ja, TO-220AB-paketet används ofta i olika PCB-layouter, vilket möjliggör enkel integrering i befintliga konstruktioner.