Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4763
- Tillv. art.nr:
- IRF3205PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
852,00 kr
(exkl. moms)
1 065,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,04 kr | 852,00 kr |
| 100 - 200 | 13,63 kr | 681,50 kr |
| 250 - 450 | 12,779 kr | 638,95 kr |
| 500 - 950 | 11,926 kr | 596,30 kr |
| 1000 + | 11,075 kr | 553,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4763
- Tillv. art.nr:
- IRF3205PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 146nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.54mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 146nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.69mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.54mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 110 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 55 V maximal dräneringskällspänning - IRF3205PBF
Denna HEXFET MOSFET är en högpresterande effektkomponent som är utformad för krävande tillämpningar. Den har en N-kanalkonfiguration med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 110 A och en maximal dräneringskällspänning på 55 V. TO-220AB-kapseln säkerställer effektiv värmehantering och är lämplig för användning i en mängd olika industriella miljöer.
Funktioner & fördelar
• Kan användas vid höga temperaturer upp till +175 °C
• Erbjuder snabba omkopplingsegenskaper för förbättrad prestanda
• Utmärkt avalanche-klassning för ökad hållbarhet
• Förbättringslägesdesign ger stabil drift
• Utformad för enkel användning i genomgående hålmontering
Användningsområden
• Används för strömomvandling i nätaggregat
• Lämplig för motorstyrning
• Används i batterihanteringssystem
• Används i högfrekventa omkopplingskretsar
• Integrerad i strömförsörjningssystem för konsumentelektronik
Vilka termiska egenskaper bör övervägas för denna komponent?
Termisk resistans från koppling till hölje är 0,75 °C/W, och höljet till sänk kan vara så lågt som 0,50 °C/W när den appliceras på en platt, smord yta. Detta är avgörande för att upprätthålla optimal prestanda under höga belastningsscenarier.
Hur kan specifikationerna påverka den övergripande prestandan?
Det låga påslagningsmotståndet och den höga kontinuerliga dräneringsströmkapaciteten möjliggör minskad effektförlust och förbättrad termisk effektivitet, vilket leder till ökad tillförlitlighet i olika tillämpningar.
Vilka metoder kan användas för effektiv värmeavledning?
Att använda en kylelement tillsammans med TO-220AB-kapseln kan avsevärt förbättra värmeavledningen under drift, vilket säkerställer att enheten förblir inom säkra termiska gränser.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET