Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- RS-artikelnummer:
- 918-9859
- Tillv. art.nr:
- IRF530PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
388,40 kr
(exkl. moms)
485,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 07 september 2026
- Dessutom levereras 350 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,768 kr | 388,40 kr |
| 100 - 200 | 7,381 kr | 369,05 kr |
| 250 + | 6,991 kr | 349,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 918-9859
- Tillv. art.nr:
- IRF530PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IRF | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 88W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Längd | 10.41mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IRF | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximal effektförlust Pd 88W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.01mm | ||
Längd 10.41mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.3 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF