Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- RS-artikelnummer:
- 542-9462
- Tillv. art.nr:
- IRF9610PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
24,19 kr
(exkl. moms)
30,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 07 september 2026
- Dessutom levereras 772 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 24,19 kr |
| 10 - 49 | 21,50 kr |
| 50 - 99 | 20,61 kr |
| 100 - 249 | 18,03 kr |
| 250 + | 16,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 542-9462
- Tillv. art.nr:
- IRF9610PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -5.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.41mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -5.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.41mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.01mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays effekt-MOSFET-teknik är nyckeln till avancerad serie av effekt-MOSFET-transistorer. Den effektiva geometrin och unika bearbetningen av effekt-MOSFET-designen uppnår mycket låg påslagningsresistans i kombination med hög transkonduktans och extrem enhetens robusthet. TO-220AB-kapseln föredras universellt för alla kommersiella och industriella tillämpningar med effektförlustnivåer på cirka 50 W.
Dynamisk dV/dt-klassning
Enkel synkronisering
Enkla krav på drivning
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.3 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF