Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- RS-artikelnummer:
- 178-0833
- Tillv. art.nr:
- IRF820APBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
397,80 kr
(exkl. moms)
497,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 700 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,956 kr | 397,80 kr |
| 100 - 200 | 7,558 kr | 377,90 kr |
| 250 + | 7,161 kr | 358,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-0833
- Tillv. art.nr:
- IRF820APBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Längd | 10.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.01mm | ||
Längd 10.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.
Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal 2.5 A 500 V Förbättring TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal 3.3 A 200 V Förbättring TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal 10 A 400 V Förbättring TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal 2 A 400 V Förbättring TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal 14 A 100 V Förbättring TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal 5.6 A 100 V Förbättring TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal 28 A 100 V Förbättring TO-220, IRF
- Vishay Typ N Kanal 8 A 500 V Förbättring TO-220AB, IRF