Vishay N Kanal, MOSFET, 2.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

610,20 kr

(exkl. moms)

762,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 650 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5012,204 kr610,20 kr
100 - 20011,594 kr579,70 kr
250 +10,983 kr549,15 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0833
Tillv. art.nr:
IRF820APBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

IRF

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

50W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.41mm

Höjd

9.01mm

Bredd

4.7mm

Fordonsstandard

Nej

Vishays effekt-MOSFET har låg grindladdning Qg som resulterar i enkla drivrutinkrav och har förbättrad grind, avalanche och dynamisk dV/dt-tålighet.

Arbets- och förvaringstemperaturområde - 55 till + 150 °C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.