Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF
- RS-artikelnummer:
- 542-9311
- Distrelec artikelnummer:
- 171-15-124
- Tillv. art.nr:
- IRF644SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
45,25 kr
(exkl. moms)
56,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 307 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 538 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 45,25 kr |
| 10 - 49 | 38,42 kr |
| 50 - 99 | 36,29 kr |
| 100 - 249 | 32,93 kr |
| 250 + | 28,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 542-9311
- Distrelec artikelnummer:
- 171-15-124
- Tillv. art.nr:
- IRF644SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | IRF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie IRF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.83mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, RCJ331N25
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HiperFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, UniFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, UniFET