Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 145-8936
- Tillv. art.nr:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 800 enheter)*
6 133,60 kr
(exkl. moms)
7 667,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 7,667 kr | 6 133,60 kr |
| 1600 - 1600 | 7,283 kr | 5 826,40 kr |
| 2400 + | 6,823 kr | 5 458,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-8936
- Tillv. art.nr:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 11.3mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 11.3mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 30 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 68 W maximal effektförlust - IRLZ34NSTRLPBF
Denna högpresterande N-kanaliga MOSFET möjliggör effektiv switchning och förstärkning i olika elektriska applikationer. Med en kontinuerlig dräneringsström på 30 A och en maximal dräneringskällspänning på 55 V passar den för applikationer inom fordons-, industri- och konsumentelektronik. Dess ytmonterade design förenklar integrationen i moderna kretskort, vilket gör den till en nyckelkomponent för effektiv strömhantering.
Funktioner & fördelar
• Låg grindtröskelspänning för ökad kopplingshastighet
• Låg RDS(on) för effektiv strömförbrukning
• Hög värmebeständighet möjliggör drift vid förhöjda temperaturer
• Maximal effektförlust på 68 W bidrar till lång livslängd
• Ytmonteringsteknik stöder kompakta konstruktioner
• Effektiv drivning med hög gate-laddning vid 5V
Användningsområden
• Strömförsörjningskretsar för effektiv spänningsreglering
• Motorstyrning kräver snabb omställning
• DC-DC-omvandlare för förbättrad effektivitet
• Precisionsinstrument för pålitlig prestanda
• Fordon med höga krav på tillförlitlighet
Vilken är den maximala kontinuerliga ström som denna komponent kan hantera?
Enheten kan hantera en maximal kontinuerlig dräneringsström på 30 A.
Hur hanterar denna MOSFET termisk prestanda?
Den arbetar vid en maximal temperatur på +175 °C, vilket garanterar tillförlitlighet i miljöer med höga temperaturer.
Kan den användas i fordonsapplikationer?
Ja, dess robusta konstruktion och höga temperaturtolerans gör den lämplig för olika fordonskretsar.
Vilken typ av kretskonfigurationer kan den stödja?
MOSFET:en stöder transistorkonfigurationer i förstärkningsläge, vilket är idealiskt för switchapplikationer.
Är den kompatibel med ytmonterade kretsar?
Ja, kapslingstypen D2PAK (TO-263) gör det lätt att integrera i ytmonterade applikationer och underlättar enkel placering på kretskort.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET