Sök efter MPN

Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-artikelnummer:: 915-5058
Tillv. art.nr:: IRFS4410ZTRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 8 enheter)*

303,184 kr

(exkl. moms)

378,976 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

368 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
8 - 32	37,898 kr	303,18 kr
40 - 72	36,008 kr	288,06 kr
80 - 192	34,454 kr	275,63 kr
200 - 392	32,186 kr	257,49 kr
400 +	30,31 kr	242,48 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 915-5058
Tillv. art.nr:: IRFS4410ZTRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	97A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	83nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	230W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	11.3mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	10.67mm
	Höjd	4.83mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 97A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 230W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 11.3mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 10.67mm
	Höjd 4.83mm
	Fordonsstandard Nej

N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.