Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 915-5058
- Tillv. art.nr:
- IRFS4410ZTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 8 enheter)*
303,18 kr
(exkl. moms)
378,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 368 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 8 - 32 | 37,898 kr | 303,18 kr |
| 40 - 72 | 36,008 kr | 288,06 kr |
| 80 - 192 | 34,454 kr | 275,63 kr |
| 200 - 392 | 32,186 kr | 257,49 kr |
| 400 + | 30,31 kr | 242,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 915-5058
- Tillv. art.nr:
- IRFS4410ZTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 97A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 83nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 11.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 97A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 11.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET