Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 915-4963
- Tillv. art.nr:
- IRF7821TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 915-4963
- Tillv. art.nr:
- IRF7821TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 155°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 155°C | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET 30V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.3 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET