Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 827-3896
- Tillv. art.nr:
- IRF7832TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
142,02 kr
(exkl. moms)
177,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 550 enhet(er) levereras från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 14,202 kr | 142,02 kr |
| 50 - 90 | 11,077 kr | 110,77 kr |
| 100 - 240 | 10,36 kr | 103,60 kr |
| 250 - 490 | 9,654 kr | 96,54 kr |
| 500 + | 7,795 kr | 77,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-3896
- Tillv. art.nr:
- IRF7832TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 155°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 155°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET 30V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.3 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET