Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-artikelnummer:: 165-5716
Tillv. art.nr:: IRF7842TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

21 272,00 kr

(exkl. moms)

26 592,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 30 november 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	5,318 kr	21 272,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-5716
Tillv. art.nr:: IRF7842TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	18A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	SOIC
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	5.9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	2.5W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	33nC
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	5mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp SOIC
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 5.9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 2.5W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 5mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 18 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2,5 W maximal effektförlust - IRF7842TRPBF

Denna MOSFET ger hög prestanda i olika elektroniska tillämpningar. Med specifikationer som inkluderar en kontinuerlig dräneringsström på 18 A och en maximal dräneringskällspänning på 40 V förbättrar den strömeffektiviteten för elektroniska enheter. Utformad för ytmonteringsteknik, denna enhet säkerställer hållbarhet och är lämplig för proffs inom elektronik och automation.

Funktioner & fördelar

• Låg Rds(on) vid 4,5 V förbättrar effektiviteten

• Högströmshantering optimerar strömförsörjningen

• Minimal grindladdning minskar omkopplingsförluster

• Avalanche-klassad för att förbättra tillförlitligheten

• N-kanalkonfigurationen stöder effektiv prestanda i styrtillämpningar

Användningsområden

• Används i synkrona MOSFET-kretsar för bärbar datorprocessorström

• Fungerar som sekundär synkronlikriktare i isolerade DC-DC-omvandlare

• Fungerar i oisolerade DC-DC-omvandlarkonstruktioner

Vilken är den maximala driftstemperaturen för den här enheten?

Den fungerar effektivt upp till +150 °C, vilket säkerställer tillförlitlighet i miljöer med höga temperaturer.

Hur hanterar denna komponent ström under drift?

Enheten stöder en kontinuerlig dräneringsström på 18 A, lämplig för olika tillämpningar.

Kan den användas i högspänningskretsar?

Ja, den maximala drain-källspänningen är klassad för 40 V, vilket ger flexibilitet för högspänningstillämpningar.

Vilka är värmebeständighetens egenskaper?

Termisk resistans från koppling till omgivning är vanligtvis cirka 50–55 °C/W, vilket underlättar effektiv värmeavledning.

Är denna MOSFET kompatibel med ytmonteringsteknik?

Ja, den finns tillgänglig i ett SOIC-paket som är speciellt utformat för ytmontering, vilket förbättrar integrationen i kretsdesigner.