Sök efter MPN

Infineon N Kanal, MOSFET, 18.5 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE

RS-artikelnummer:: 914-0227
Distrelec artikelnummer:: 304-44-440
Tillv. art.nr:: IPP50R190CEXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 18.5 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (10 enheter, i en förpackning med 10)*

183,01 kr

(exkl. moms)

228,76 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

390 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 - 40	18,301 kr	183,01 kr
50 - 90	17,394 kr	173,94 kr
100 - 240	16,654 kr	166,54 kr
250 - 490	15,926 kr	159,26 kr
500 +	14,829 kr	148,29 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 914-0227
Distrelec artikelnummer:: 304-44-440
Tillv. art.nr:: IPP50R190CEXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	18.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	550V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	CoolMOS CE
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	190mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	47.2nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-30, +30V
	Maximal effektförlust Pd	127W
	Framåtriktad spänning Vf	0.85V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	15.95mm
	Längd	10.36mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	4.57mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 550V
	Kapseltyp TO-220
	Serie CoolMOS CE
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 47.2nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V
	Maximal effektförlust Pd 127W
	Framåtriktad spänning Vf 0.85V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 15.95mm
	Längd 10.36mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 4.57mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.