Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE

RS-artikelnummer:: 215-2476
Tillv. art.nr:: IPA60R080P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 486,60 kr

(exkl. moms)

1 858,25 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 04 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	29,732 kr	1 486,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 215-2476
Tillv. art.nr:: IPA60R080P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	37A
	Maximal källspänning för dränering Vds	500V
	Serie	CoolMOS CE
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	80mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	29W
	Framåtriktad spänning Vf	900mV
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	51nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 37A
	Maximal källspänning för dränering Vds 500V
	Serie CoolMOS CE
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 29W
	Framåtriktad spänning Vf 900mV
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPA60R080P7XKSA1

Infineon CoolMOS CE-serie MOSFET, 500 V drain-källspänning, 37 A kontinuerlig drain-ström – IPA60R080P7XKSA1

Denna MOSFET med n-kanal är en högspänningstransistor med omkoppling som är utformad för strömomvandlings- och styrtillämpningar. Den fungerar tillförlitligt över ett brett temperaturområde och levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål som är lämplig för konventionella monteringsmetoder. Enheten är avsedd för användning där robust dränering-till-källspänningskapacitet och måttlig effektförlust krävs.

Funktioner och fördelar:

• Drain-klassning på 500 V ger hög högspänningstolerans för omvandlare
• 80 mΩ Rds(on) möjliggör lägre ledningsförluster under belastningsperioder
• Kontinuerlig dräneringsström på 37 A med stöd för betydande utgångskapacitet
• Maximal förlust på 29 W möjliggör hållbar effekthantering i applikationer
• 51 nC typisk grindladdning ger förutsägbara behov av omkopplingsenergi
• 0,9 V framspänning minskar diodlindningsfall

Användningsområden

• Lämplig för offline-switchade nätaggregat
• Idealisk för högspännings-DC-omvandlingsfaser
• Används med industriella motorstyrningsfrontändar
• Kan användas för inkopplingsströmbegränsande kretsar
• Lämplig för generell strömomkoppling i laboratorier

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under drift?

Enheten accepterar gate-källspänningar på upp till 20 V

konstruktionerna bör hålla grinddrivningen inom detta intervall för att förhindra grindoxidbelastning.

Hur påverkar temperaturen säker användning i system?

Komponenten är klassad för drift mellan -55 °C och 150 °C, så termisk hantering bör säkerställa att kopplingstemperaturer förblir inom detta intervall för tillförlitlig service.

Vilken monteringsmetod krävs för kretskortsintegrering?

Den levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål, så den är avsedd för kretskortsmontering med mekanisk fästning och lämplig kylelement.

Vilket omkopplingsbeteende bör konstruktörer förvänta sig vid höga spänningar?

Med en typisk grindladdning på 51 nC ökar kopplingsförlusterna på ett förutsägbart sätt

val av drivare måste hantera denna laddning för att uppnå önskade övergångshastigheter.