Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 911-4997
- Distrelec artikelnummer:
- 304-08-789
- Tillv. art.nr:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
12 460,00 kr
(exkl. moms)
15 575,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 35 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,984 kr | 12 460,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 911-4997
- Distrelec artikelnummer:
- 304-08-789
- Tillv. art.nr:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 42mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs
OptiMOS™-produkterna finns i högpresterande paket för att klara de mest utmanande applikationerna och ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i nästa generations skärpta standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
N-kanal - Förbättringsläge
Kvalificerad för Automotive AEC Q101
MSL1 upp till 260°C peak reflow
175°C driftstemperatur
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101