Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 830-3304
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-474
- Tillv. art.nr:
- IRLL2705TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (20 enheter, i en förpackning med 20)*
175,62 kr
(exkl. moms)
219,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Begränsat lager
- Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 28 september 2026
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 8,781 kr | 175,62 kr |
| 100 - 180 | 6,759 kr | 135,18 kr |
| 200 - 480 | 6,317 kr | 126,34 kr |
| 500 - 980 | 5,886 kr | 117,72 kr |
| 1000 + | 5,443 kr | 108,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 830-3304
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-474
- Tillv. art.nr:
- IRLL2705TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16, +16V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.739mm | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16, +16V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.739mm | ||
Bredd 3.7mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 5,2A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2,1W maximal effektförlust - IRLL2705TRPBF
Denna högpresterande MOSFET är konstruerad för effektiv strömhantering i olika applikationer. Med en N-kanalskonfiguration ger den utmärkta switchegenskaper, vilket gör den lämplig för uppgifter som kräver snabb respons och minimerad energiförlust. Denna komponent förbättrar effektiviteten och tillförlitligheten hos elektroniska kretsar, särskilt i automations- och styrsystem.
Funktioner & fördelar
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 5,2A
• Drain-källspänning på 55V
• Låg Rds(on) på 65mΩ för effektiv drift
• Kompakt SOT-223-paket för utrymmessnåla konstruktioner
Användningsområden
• Idealisk för strömförsörjningskretsar
• Används i krafthanteringssystem för fordon
• Används vanligen för omkoppling i högfrekventa kretsar
• Integreras väl i kraftomriktare för system för förnybar energi
Vilken är den maximala spänning som denna komponent kan hantera?
Produkten har en maximal drain-source-spänning på 55 V, vilket ger robusta prestanda i olika applikationer.
Kan den arbeta vid höga temperaturer?
Ja, den är klassad för en maximal driftstemperatur på +150°C, vilket garanterar tillförlitlighet i utmanande miljöer.
Hur hanterar denna komponent värme under drift?
Med en maximal effektavledning på 2,1 W hanterar den effektivt värmeutvecklingen och minskar risken för överhettning.
Är den kompatibel med vanliga mönsterkort?
Denna komponent är lämplig för ytmonteringsteknik, vilket gör den lätt att integrera i vanliga mönsterkortslayouter.
Vad gör detta till ett lämpligt val för automationsprojekt?
Den snabba omkopplingsförmågan och det låga on-motståndet bidrar till betydande energibesparingar och ökar effektiviteten i automatiserade system.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.8 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.4 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 5 A 55 V, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 55 V, SOT-223, HEXFET Fifth Generation
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 150 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET