Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 200 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

54 780,00 kr

(exkl. moms)

68 475,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +10,956 kr54 780,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
911-0787
Tillv. art.nr:
BSC320N20NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

32mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.35mm

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.1mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V och över


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.