Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 165-8115
- Tillv. art.nr:
- IRF540NLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
398,70 kr
(exkl. moms)
498,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 12 oktober 2026
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 15 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,974 kr | 398,70 kr |
| 100 - 200 | 7,428 kr | 371,40 kr |
| 250 - 450 | 7,231 kr | 361,55 kr |
| 500 - 950 | 7,045 kr | 352,25 kr |
| 1000 + | 6,87 kr | 343,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8115
- Tillv. art.nr:
- IRF540NLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 44mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 71nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 130W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 44mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 130W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 72 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 162 A 40 V Förbättring, 3 Ben, I2PAK (TO-262), HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 40 V, TO-262, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 72 A 200 V, TO-262, HEXFET