Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3956
- Tillv. art.nr:
- IRF150P221AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i ett rör med 25)*
1 263,58 kr
(exkl. moms)
1 579,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 50,543 kr | 1 263,58 kr |
| 50 - 100 | 48,017 kr | 1 200,43 kr |
| 125 + | 45,996 kr | 1 149,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3956
- Tillv. art.nr:
- IRF150P221AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 186A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 186A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET StrongIRFET optimerad för bredaste tillgänglighet från distributionspartners. Ökad tillförlitlighet jämfört med 150 °C-klassade delar och produktvalidering enligt JEDEC-standard.
Mycket låg RDS(on)
Minskade ledningsförluster
Idealisk för hög omkopplingsfrekvens
Relaterade länkar
- Infineon, MOSFET, 186 A 150 V, TO-247, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 316 A 150 V, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 150 V, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 78 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 483 A 100 V, TO-247, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 316 A 100 V, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V, TO-247, HEXFET