Infineon N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

118,45 kr

(exkl. moms)

148,062 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 598 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +59,225 kr118,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
906-4356
Tillv. art.nr:
IPT020N10N3ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Kapseltyp

HSOF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

156nC

Maximal effektförlust Pd

375W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.58mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

10.1mm

Höjd

2.4mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V och över


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.