Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P

RS-artikelnummer:: 906-4309
Tillv. art.nr:: BSC030P03NS3GAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

205,63 kr

(exkl. moms)

257,04 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 610 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	20,563 kr	205,63 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 906-4309
Tillv. art.nr:: BSC030P03NS3GAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	OptiMOS P
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	4.6mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-25V, +25V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	140nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	125W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	5.35mm
	Höjd	1.1mm
	Längd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp TDSON
	Serie OptiMOS P
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 140nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 125W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 5.35mm
	Höjd 1.1mm
	Längd 6.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 100 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC030P03NS3GAUMA1

Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för ytmonteringstillämpningar som kräver hög strömhantering och temperaturområde. Den fungerar som en P-kanalförstärkningsenhet för styrning av kraftskenor och omkopplingssteg i krävande miljöer, och erbjuder en balans mellan omkopplingskapacitet och kontinuerlig strömkapacitet över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• Kontinuerlig dräneringsström på 100 A möjliggör omkoppling vid hög belastning
• Maximal effektförlust på 125 W stöder kraftiga termiska belastningar
• Låg Rds(on) på 4.6 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Maximal Vds på 30 V möjliggör styrning av elskenor med medelhög spänning
• 140 nC typisk grindladdning balanserar drivkraften och omkopplingshastigheten
• 25 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler

Användningsområden

• Lämplig för kraftfördelningsmoduler med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med system för batterihantering och strömomvandling
• Kan användas för lågsidig omkoppling av motordrivenheter
• Används för värmebelastad elektronik över ett brett temperaturområde

Vilken kapslingstyp bör jag planera för på kretskortet?

Den levereras i ett 8-stifts TDSON-ytemonterat paket som kräver ett fotavtryck som matchar en 8-stifts värmeplatta och omgivande jord för lödbarhet och värmeöverföring.

Hur påverkar omgivningstemperaturen den tillåtna driften?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C och behåller funktionaliteten under extrema kalla och förhöjda kopplingsförhållanden, även om termisk hantering avgör dynamiska strömbegränsningar.

Vilka grinddrivaröverväganden är viktiga för omkopplingsprestanda?

Förvänta en typisk total grindladdning på 140 nC som informerar om drivstorleken

drivare måste ge tillräckligt med ström för att växla inom önskade övergångstider samtidigt som den maximala 25 V gate-source-klassificeringen iakttas.

Vilka egenskaper för framåtriktad spänning påverkar omvänd ledningsförmåga?

Enheten har en framåtvänd spänning på -1,1 V under ledning i relevant riktning, vilket påverkar ledningsförluster i frikoppling eller synkrona konfigurationer.