Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- RS-artikelnummer:
- 285-054
- Tillv. art.nr:
- ISC750P10LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
61 020,00 kr
(exkl. moms)
76 275,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 12,204 kr | 61 020,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-054
- Tillv. art.nr:
- ISC750P10LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -32A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -32A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET är en avancerad effekt-MOSFET som är utformad för optimal effektivitet och mångsidighet i industriella tillämpningar. Med en robust P-kanalkonfiguration ger den exceptionellt lågt motstånd och kan hantera hög avloppsström, vilket gör den lämplig för en rad krävande elektroniska kretsar. Införlivandet av grindrivning på logisk nivå innebär att den fungerar sömlöst i lågspänningssystem. Med sin utmärkta termiska prestanda och tillförlitliga lavinhastigheter är denna effekttransistor idealisk för tillämpningar som kräver hållbarhet och tillförlitlighet under kontinuerlig belastning. Dess RoHS-överensstämmelse och halogenfria blybeläggning förbättrar ytterligare dess lämplighet för miljömedvetna konstruktioner, vilket ger tillverkarna lugn och ro på en konkurrensutsatt marknad.
Enastående växlingsprestanda för strömhantering
100 % lavintestat för tillförlitlighet
Lågt värmemotstånd för effektiv värmeavledning
Logisk nivådrivning för enkelt mikrokontrollergränssnitt
Blyfri blybeläggning för miljökompatibilitet
Konsekvent prestanda över ett brett temperaturområde
Optimerad för höghastighetsanvändningar
Stöder höga märkevärden för pulsström
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5