Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- RS-artikelnummer:
- 285-057
- Tillv. art.nr:
- ISC800P06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
28 560,00 kr
(exkl. moms)
35 700,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 5,712 kr | 28 560,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-057
- Tillv. art.nr:
- ISC800P06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -19.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -19.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS-effekttransistor som omdefinierar effektiviteten med sin överlägsna P-kanalteknik som är utformad för högpresterande tillämpningar. Med en störningsspänning på 60 V är den konstruerad för robust industriell användning, vilket garanterar tillförlitlig prestanda under varierande driftsförhållanden. Det unika SuperSO8-huset underlättar en optimal termisk väg för värmeavledning, vilket ökar enhetens tillförlitlighet och livslängd. Denna transistor genomgår rigorösa tester, inklusive 100 % lavintester, vilket säkerställer att den uppfyller de högsta standarderna för tillförlitlighet och kvalitet. Med ett branschledande lågt motstånd på påverkan minskar den avsevärt effektförluster, vilket gör den till ett utmärkt val för energimedvetna konstruktioner.
Mycket lågt motstånd vid påverkan förbättrar effektiviteten
100 % lavintestat för tillförlitlighet
Blyfri blybeläggning för överensstämmelse
Halogenfri konstruktion stöder miljövänlighet
Drift på logisk nivå för enkel gränssnitt
Lämplig för olika industriella tillämpningar
Utmärkta termiska egenskaper säkerställer tillförlitlighet
Förbättringslägesdesign för stabil prestanda
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 N Kanal, MOSFET, 163 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon N Kanal, MOSFET, 220 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7