Infineon N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

135,74 kr

(exkl. moms)

169,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 324 enhet(er) levereras från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +67,87 kr135,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
906-4283
Tillv. art.nr:
IPB065N15N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

130A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

6.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

300W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

70nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

9.45mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.57mm

Längd

10.31mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V och över


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.