Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

RS-artikelnummer:: 898-6870
Tillv. art.nr:: IPB200N25N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

160,72 kr

(exkl. moms)

200,90 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 264 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
2 +	80,36 kr	160,72 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 898-6870
Tillv. art.nr:: IPB200N25N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	64A
	Maximal källspänning för dränering Vds	250V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	OptiMOS 3
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	20mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	300W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	64nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	9.45mm
	Längd	10.31mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	4.57mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A
	Maximal källspänning för dränering Vds 250V
	Kapseltyp TO-263
	Serie OptiMOS 3
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 300W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 64nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 9.45mm
	Längd 10.31mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 4.57mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 64 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 300 W maximal effektförlust - IPB200N25N3GATMA1

Denna N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i olika elektroniska tillämpningar, med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 64 A och en nominell spänning på 250 V. Dess robusta termiska prestanda och låga påslagningsmotstånd bidrar till effektiv elektrisk prestanda över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för högfrekvent omkoppling och synkron likriktelse.

Funktioner & fördelar

• Optimal grindladdning x RDS(on)-produkt förbättrar effektiviteten

• Låg påslagningsresistans minimerar effektförluster under drift

• Drifttemperatur upp till +175 °C passar olika tillämpningar

• Uppfyller RoHS- och halogenfria standarder för miljövänlig användning

• Kompakt D2PAK-design och ytmontering underlättar integrering

• Kvalificerad enligt JEDEC för tillförlitlighet i måltillämpningar

Användningsområden

• Används i nätaggregat för automationssystem

• Lämpligt för högeffektiva omvandlare inom förnybar energi

• Används i motorstyrning för industriella maskiner

• Idealisk för synkron likriktering i stationära nätaggregat

• Används i elfordon för effektiv energihantering

Vilka åtgärder bör vidtas för att säkerställa optimal prestanda under installationen?

Det är viktigt att upprätthålla ett effektivt värmehanteringssystem för att avleda värme, se till att enheten fungerar inom de angivna temperaturgränserna.

Kan denna komponent användas i tillämpningar som kräver snabb omkoppling?

Ja, den är lämplig för högfrekvenstillämpningar som DC-DC-omvandlare och drivrutiner på grund av dess snabba omkopplingsförmåga.

Finns det en specifik kretsdesign som rekommenderas för optimal användning?

En korrekt grinddrivkrets kan förbättra prestandan, särskilt när det gäller påslagnings- och avstängningstider, vilket bidrar till att minska omkopplingsförluster.

Vad bör beaktas när det gäller miljöförhållanden under drift?

Se till att den placeras i en miljö där temperaturen förblir inom sina driftsgränser på -55 °C till +175 °C för att förhindra termisk nedbrytning.

Hur fungerar denna MOSFET under tunga belastningsförhållanden?

Den hanterar effektivt en kontinuerlig dräneringsström på 64 A samtidigt som den upprätthåller låg påslagningsresistans, vilket minskar överhettning och förbättrar tillförlitligheten under belastning.