Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 898-6870
- Tillv. art.nr:
- IPB200N25N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
160,72 kr
(exkl. moms)
200,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 264 enhet(er) levereras från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 80,36 kr | 160,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 898-6870
- Tillv. art.nr:
- IPB200N25N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 64A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Bredd | 9.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.31mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.57mm | ||
Bredd 9.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.31mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 64 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 300 W maximal effektförlust - IPB200N25N3GATMA1
Denna N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i olika elektroniska tillämpningar, med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 64 A och en nominell spänning på 250 V. Dess robusta termiska prestanda och låga påslagningsmotstånd bidrar till effektiv elektrisk prestanda över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för högfrekvent omkoppling och synkron likriktelse.
Funktioner & fördelar
• Optimal grindladdning x RDS(on)-produkt förbättrar effektiviteten
• Låg påslagningsresistans minimerar effektförluster under drift
• Drifttemperatur upp till +175 °C passar olika tillämpningar
• Uppfyller RoHS- och halogenfria standarder för miljövänlig användning
• Kompakt D2PAK-design och ytmontering underlättar integrering
• Kvalificerad enligt JEDEC för tillförlitlighet i måltillämpningar
Användningsområden
• Används i nätaggregat för automationssystem
• Lämpligt för högeffektiva omvandlare inom förnybar energi
• Används i motorstyrning för industriella maskiner
• Idealisk för synkron likriktering i stationära nätaggregat
• Används i elfordon för effektiv energihantering
Vilka åtgärder bör vidtas för att säkerställa optimal prestanda under installationen?
Det är viktigt att upprätthålla ett effektivt värmehanteringssystem för att avleda värme, se till att enheten fungerar inom de angivna temperaturgränserna.
Kan denna komponent användas i tillämpningar som kräver snabb omkoppling?
Ja, den är lämplig för högfrekvenstillämpningar som DC-DC-omvandlare och drivrutiner på grund av dess snabba omkopplingsförmåga.
Finns det en specifik kretsdesign som rekommenderas för optimal användning?
En korrekt grinddrivkrets kan förbättra prestandan, särskilt när det gäller påslagnings- och avstängningstider, vilket bidrar till att minska omkopplingsförluster.
Vad bör beaktas när det gäller miljöförhållanden under drift?
Se till att den placeras i en miljö där temperaturen förblir inom sina driftsgränser på -55 °C till +175 °C för att förhindra termisk nedbrytning.
Hur fungerar denna MOSFET under tunga belastningsförhållanden?
Den hanterar effektivt en kontinuerlig dräneringsström på 64 A samtidigt som den upprätthåller låg påslagningsresistans, vilket minskar överhettning och förbättrar tillförlitligheten under belastning.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3